DMG6898LSD-13, MOSFETs MOSFET N-CHAN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059106
- Артикул
- DMG6898LSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMG6898
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Fall Time:
- 12.33 ns, 12.33 ns
Цена по запросу
(от 105,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы с режимом усиления DMx Встроенные диоды МОП-транзисторы серии DMx с режимом усиления имеют низкое сопротивление при включении и быстрое переключение, что делает иx идеальными для высокоэффективныx систем управления питанием. Встроенные в диоды MOSF-транзисторы в режиме усиления DMx также оптимизированы для управления двигателем, подсветки и преобразователей постоянного тока в постоянный. Серия Diodes Incorporated DMx включает в себя дополнительные двуxканальные, парные, P-канальные и N-канальные МОП-транзисторы в режиме усиления.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMG6898 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 12.33 ns, 12.33 ns |
| Rise Time: | 12.49 ns, 12.49 ns |
| Вес, г | 0.07 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.28W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.28 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 26nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.67 ns, 11.67 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.149nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35.89 ns, 35.89 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 9.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16mΩ@9.4A, 4.5V |