DMG6602SVTX-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059105
- Артикул
- DMG6602SVTX-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 3 ns, 13 ns
- Rise Time:
- 5 ns, 7.3 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 73 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 3 ns, 13 ns |
| Rise Time: | 5 ns, 7.3 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOT-26-6 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC, 9 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 840mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.12 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13nC@10V;9nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns, 4.8 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 400pF@15V;420pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 20 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.4A;2.8A |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.4 A, 2.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S, 6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms, 95 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV, 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.84 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 60mΩ@3.1A, 10V;95mΩ@2.7A, 10V |