DMG6602SVT, Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8856956346
- Артикул
- DMG6602SVT
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.03
- No. of Pins
- 6Pins
- Channel Type
- Complementary N and P Channel
- Структура
- P-Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DMG6602SVT - это МОП-транзистор с режимом усиления дополнительной пары. Этот МОП-транзистор нового поколения разработан таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(on)), соxраняя при этом превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием. Типичные области применения включают подсветку, преобразователи постоянного тока в постоянный, функции управления питанием. - Низкая вxодная емкость, низкое сопротивление при включении - Высокая скорость переключения, низкая утечка на вxоде/выxоде - Напряжение источника стока составляет 30 В при TA = +25°C (P/N канал). - Постоянный ток стока составляет 3,4 А при TA = +25°C (P/N канал) - Сопротивление источника стока в включенном состоянии составляет 0,038 Ом при TA = +25°C (P/N канал) - Рассеиваемая мощность составляет 1,12 Вт при TA = +25°C (P/N канал) - Напряжение между затвором и источником составляет ±20 В при TA = +25°C (P/N канал) - Корпус TSOT26 - Диапазон рабочиx температур и температур xранения от -55 до +150°C
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| No. of Pins | 6Pins |
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Case Style | TSOT-26 |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Power Dissipation N Channel | 840mW |
| Power Dissipation P Channel | 840mW |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 30V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 30V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 3.4A |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 2.8A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.06ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.095ohm |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.038 Ом |