DMG6602SVT-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059104
- Артикул
- DMG6602SVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.6mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.12
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 44,58 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.6mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.12 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | TSOT-26 |
| Корпус | sot23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.27 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 10 V, 9 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ, 140 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.1 A, 3.4 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |