Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2 A, 4.5 A, 30 V, 6-Pin TSOT-26 DMG6601LVT-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017145342
- Артикул
- DMG6601LVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 1.6mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMG6601
Цена по запросу
(от 22 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 1.6mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMG6601 |
| Series: | DMG6601 |
| Fall Time | 15.6 ns, 2.2 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 6 |
| Rise Time | 7.4 ns, 4.6 ns |
| Fall Time: | 15.6 ns, 2.2 ns |
| Rise Time: | 7.4 ns, 4.6 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Power - Max | 850mW |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | TSOT-26 |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSOT-26-6 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOT-26-6 |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 12.3 nC, 13.8 nC |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.3 nC, 13.8 nC |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Pd - Power Dissipation | 1.3 W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.4A, 10V |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Supplier Device Package | TSOT-26 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.3 nC @ 10 V, 13.8 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 1.6 ns, 1.7 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 31.2 ns, 18.3 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.6 ns, 1.7 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31.2 ns, 18.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 3.8 A, 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A, 2.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 85 mΩ, 190 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A, 4.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 55 mOhms, 110 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 500 mV, 400 mV |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A, 2.5A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV, 400 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |