DMG6402LVT-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 5А, 1,1Вт, TSOT26
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543649
- Артикул
- DMG6402LVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.6mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.2
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 30,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 1.6mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSOT-26 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Особенности | depletion-mode fet |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.75 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11.4 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 42 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 30mО© @ 7A,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.75W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 6A |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |