Моя заявка (0)
DMG6402LDM-7, MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-26

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025973770
Артикул
DMG6402LDM-7
Бренд
DIODES INC.
PPAP
No
Type
1PCSNChannel
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 51,90 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 5,3 А 1,12 Вт 27 Мом при 7 А, 10 В 2 В при 250uA 1-канальные МОП-транзисторы SOT-26 ROHS

Технические параметры

PPAPNo
Type1PCSNChannel
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed6
Part StatusNRND
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain
Package Width1.6
Package Length3
EDA / CAD ModelsDMG6402LDM-7 by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-26
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Standard Package NameSOT
Power Dissipation (Pd)1.12W
Typical Fall Time (ns)2.84
Typical Rise Time (ns)6.18
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)9.2nC@10V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)404pF@15V
Continuous Drain Current (Id)5.3A
Maximum Power Dissipation (mW)1120
Typical Gate Charge @ 10V (nC)9.2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)9.2@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)3.41
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)13.92
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)5.3
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)404@15V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)27@10V
Пороговое напряжение на затворе2V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)27mΩ@7A, 10V

Техническая документация