DMG5802LFX-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566907
- Артикул
- DMG5802LFX-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMG5802
- Fall Time:
- 22.45 ns, 22.45 ns
- Rise Time:
- 13.43 ns, 13.43 ns
Цена по запросу
(от 58,73 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMG5802 |
| Fall Time: | 22.45 ns, 22.45 ns |
| Rise Time: | 13.43 ns, 13.43 ns |
| Вес, г | 0.07 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | W-DFN5020-6 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 980 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.69 ns, 3.69 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32.18 ns, 32.18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 24 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.98 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |