Моя заявка (0)
DMG4822SSD-13, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070122939
Артикул
DMG4822SSD-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMG4822
Fall Time:
3.1 ns
Rise Time:
7.9 ns
Цена по запросу
(от 86,92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMG4822
Fall Time:3.1 ns
Rise Time:7.9 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:10.5 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:1.42 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:2.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14.6 ns
Id - Continuous Drain Current:10 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:200 mS
Rds On - Drain-Source Resistance:20 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация