DMG4800LK3-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 6,5А, 1,71Вт, TO252
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038437483
- Артикул
- DMG4800LK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.03
- No. of Pins
- 3Pins
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- to252
Цена по запросу
(от 65 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | to252 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | TO-252(DPAK) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.71W |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 8.7nC@5V |
| Continuous Drain Current Id | 10A |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 798pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.6V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.71 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 17mΩ@9A, 10V |