DMG4466SSS-13, MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059094
- Артикул
- DMG4466SSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Width
- 3.95mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 52,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 3.95mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMG4466 |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 3.1 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 7.9 ns |
| Вес, г | 0.18 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SO |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 3.1 |
| Typical Rise Time (ns) | 7.9 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.42 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.42 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14.6 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1420 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 10.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 5@4.5V|10.5@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 33 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2.9 |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14.6 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 33 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 478.9@15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 23@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.42 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |