DMG4413LSS-13, MOSFETs MOSFET,P-CHANNEL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059092
- Артикул
- DMG4413LSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
- Series:
- DMG4413L
Цена по запросу
(от 152,37 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMG4413L |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 66 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 9 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.07 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | NRND |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 3.9 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Package Length | 4.9 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOP EP |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 46 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Standard Package Name | SO |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 13A, 10V |
| Typical Fall Time (ns) | 66 |
| Typical Rise Time (ns) | 9 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W(Ta) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 5 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 160 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2200 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 46@5V |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 160 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4965 pF @ 15 V |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 4965@15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 7.5@10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |