DMG3415UQ-7, Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002183679
- Артикул
- DMG3415UQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Packaging
- Tape и Reel(TR)
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -2А, 0,9Вт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Package / Case | SOT-23 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.1 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 900mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 39mΩ 4A, 4.5V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 42.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 4A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |