Моя заявка (0)

DMG3415UFY4Q-7, Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

DMG3415UFY4Q-7, Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043844647
Артикул
DMG3415UFY4Q-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Серия
DMG3415
Структура
MOSFET
Технология
Si
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W

Технические параметры

Вес, г1
СерияDMG3415
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада568 ns
Особенностиавтомобильные приложения
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокX2-DFN2015-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора10 nC
Время нарастания175 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности1.35 W
Id - непрерывный ток утечки2.5 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток16 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения885 ns
Типичное время задержки при включении79 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В16
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.7.9 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.65
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В