DMG3415UFY4Q-7, MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059087
- Артикул
- DMG3415UFY4Q-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Серия
- DMG3415
- Вес, кг
- 67.6
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
Технические параметры
| Серия | DMG3415 |
| Вес, кг | 67.6 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 568 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X2-DFN2015-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Время нарастания | 175 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.35 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 16 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 885 ns |
| Типичное время задержки при включении | 79 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.9 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |