Моя заявка (0)

DMG3415U-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -3,5А, 0,9Вт, SOT23

DMG3415U-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -3,5А, 0,9Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017537777
Артикул
DMG3415U-7
Бренд
DIODES INC.
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 25,93 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 20V 4A 3-контактный SOT-23 T/R

Технические параметры

PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.01
PCB changed3
Part StatusNRND
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerDiodes Incorporated
Корпусsot23
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSOT-23
Typical Fall Time (ns)393
Typical Rise Time (ns)117
Особенности-
Supplier Temperature GradeCommercial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)900
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)9.1 4.5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±8
Typical Turn-On Delay Time (ns)71
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)795
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)4
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)294 10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)42.5 4.5V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В0.9
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация