Моя заявка (0)

DMG3415U-7-57, DMG Type P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

DMG3415U-7-57, DMG Type P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8016042577
Артикул
DMG3415U-7-57
Бренд
DIODES INC.
Width
1.4mm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот МОП-транзистор нового поколения разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

Width1.4mm
Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураP-Channel
Automotive StandardAEC-Q101
ОсобенностиEnhancement Mode
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation900 mW
Typical Gate Charge @ Vgs9.1 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage±8 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.3V
Maximum Drain Source Resistance71 mΩ
Maximum Continuous Drain Current4 A
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация