Моя заявка (0)

DMG3404L-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 4,8А, 1,33Вт, SOT23

DMG3404L-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 4,8А, 1,33Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017543646
Артикул
DMG3404L-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMG3404
Fall Time:
5.2 ns
Rise Time:
4.4 ns
Цена по запросу
(от 17,75 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 4,8А, 1,33Вт, SOT23

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMG3404
Fall Time:5.2 ns
Rise Time:4.4 ns
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Корпусsot23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13.2 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.33 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:22 ns
Id - Continuous Drain Current:5.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:21 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация