DMG3404L-7, MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgs 641pF 13.2nC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004613365
- Артикул
- DMG3404L-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMG3404
- Fall Time:
- 5.2 ns
- Rise Time:
- 4.4 ns
Цена по запросу
(от 46,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 4,8А, 1,33Вт, SOT23
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMG3404 |
| Fall Time: | 5.2 ns |
| Rise Time: | 4.4 ns |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 39.9 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.2 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.33 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |