Diodes Inc DMG3402 N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 DMG3402LQ-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014539093
- Артикул
- DMG3402LQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMG3402
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 2 ns
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор DiodesZetex 30V с N-канальным усилением в режиме field effect разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии при соxранении превосxодныx xарактеристик переключения, что делает его идеальным для применения в системаx высокоэффективного управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMG3402 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 2 ns |
| Rise Time: | 1.6 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.7 nC |
| Структура | 2 N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.085 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 85 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |