Моя заявка (0)
DMG301NU-7, MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018737276
Артикул
DMG301NU-7
Бренд
DIODES INC.
HTS
8541.29.00.95
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 42,75 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width1.3
Package Height0.98
Package Length2.9
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)2.3
Typical Rise Time (ns)1.8
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)400
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)0.36@4.5V
Maximum Gate Source Voltage (V)8
Typical Turn-On Delay Time (ns)2.9
Maximum Drain Source Voltage (V)25
Typical Turn-Off Delay Time (ns)6.6
Maximum Gate Threshold Voltage (V)1.1
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.26
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)27.9@10V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)4000@4.5V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.32
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В