DMG301NU-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 25В, 0,23А, 0,4Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543645
- Артикул
- DMG301NU-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT23
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMG301
- Version
- ESD
Цена по запросу
(от 10,47 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMG301 |
| Version | ESD |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 2.3 ns |
| Rise Time: | 1.8 ns |
| Вес, г | 0.07 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 0.23A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 320мВт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 360 pC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 5Ω |
| Drain-source voltage | 25V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 320 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 260 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1 S |
| Drain Source On State Resistance | 4Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 260мА |
| Рассеиваемая Мощность | 320мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 4Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.23 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |