Моя заявка (0)
DMG2307LQ-7, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041296490
Артикул
DMG2307LQ-7
Бренд
DIODES INC.
Case
SOT23
Type
P Channel
Mounting
SMD
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 64,16 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 2,5 А 90mOhm@2.5A, 10 В 760 МВт, 3 В при 250 мкА, P-канальные МОП-транзисторы SOT-23-3, соответствующие требованиям ROHS

Технические параметры

CaseSOT23
TypeP Channel
MountingSMD
Вес, г1
Applicationautomotive industry
Gate charge8.2nC
Polarisationunipolar
Drain current-3.6A
Kind of channelenhancement
Kind of packagereel, tape
Power dissipation1.9W
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.134Ω
Drain-source voltage-30V
Pulsed drain current-20A
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)760mW
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)8.2nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)371.3pF@15V
Continuous Drain Current (Id)2.5A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.76
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)90mΩ@2.5A, 10V

Техническая документация