DMG2307L, Power MOSFET, Enhancement Mode, P Channel, 30 V, 4.6 A, 0.07 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8413450823
- Артикул
- DMG2307L
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.01
- Корпус
- SOT-23
- Power Dissipation
- 760мВт
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 40 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, КАНАЛ P, 30 В, 3,8 А, SOT23, Полярность транзистора: Канал P, Постоянный ток стока Id: -4,6 А, Напряжение источника стока Vds: -30 В, Сопротивление Rds(включено): 0,07 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs: -10 В, Пороговое напряжение Vgs:-1 В, соответствует требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Корпус | SOT-23 |
| Power Dissipation | 760мВт |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Непрерывный Ток Стока | 4.6А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.07 Ом |