Моя заявка (0)
DMG2302UKQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059077
Артикул
DMG2302UKQ-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
1.7 ns
Rise Time:
2.7 ns
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 51,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:1.7 ns
Rise Time:2.7 ns
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Вес, кг25.1
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:2.8 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:0.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:4.2 ns
Id - Continuous Drain Current:2.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:90 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:300 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.66
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация