Diodes Inc N-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG2302U-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010431183
- Артикул
- DMG2302U-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.4mm
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- ±8V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой DMG2302U-7 от производителя DIODES INCORPORATED – это высококачественный компонент в корпусе SOT23 для SMD монтажа. Способный выдержать ток стока до 3,4 А и напряжение сток-исток 80 В, данный N-MOSFET транзистор обеспечивает надёжную работу в широком диапазоне применений. Его тепловая мощность составляет 0,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 0,12 Ом, что гарантирует эффективную производительность. Использование DMG2302U7 в вашей электронной схеме обеспечит высокую эффективность и долговечность устройства. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.4 Напряжение сток-исток, В 80 Мощность, Вт 0.8 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.12 Корпус SOT23
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 50µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 800mW(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 800 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 50uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 120 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 90mО© @ 3.6A,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 800mW |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 594.3 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.2A |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A(Ta) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 Ом/3.6a, 4.5В |