DMG2301LK-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004701657
- Артикул
- DMG2301LK-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time
- 10.5 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 48,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time | 10.5 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 7.4 ns |
| Fall Time: | 10.5 ns |
| Rise Time: | 7.4 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.15 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 3.4 nC |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 840мВт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.4 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.4 W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4.5 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.2 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 2.4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.136Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 160 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 160 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 300 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 2.4А |
| Рассеиваемая Мощность | 840мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 600мВ |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.136Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.84 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |