DMG1029SV-7, Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001456602
- Артикул
- DMG1029SV-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Width
- 1.25mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой DMG1029SV-7 от DIODES INCORPORATED является высококачественным компонентом для современной электроники. Этот N+P-MOSFET обладает монтажом типа SMD, что делает его идеальным для плотных печатных плат. С током стока 0,48 А, напряжением сток-исток 60 В, и мощностью 0,66 Вт, он отличается высокой эффективностью. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 1,7 Ом, обеспечивая низкие потери мощности. Корпус SOT563 способствует миниатюризации конечных устройств. Этот транзистор DMG1029SV7 идеален для разнообразных областей применения, включая управление питанием, защиту цепей и переключение нагрузок, предоставляя надежность и долговечность в эксплуатации. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.48 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 0.66 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 1.7 Корпус SOT563
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 1.25mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMG1029 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 9.9 ns, 11.6 ns |
| Lead Shape | Flat |
| Rise Time: | 3.4 ns, 7.9 ns |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | NRND |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N|P |
| Package Type | SOT-563 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-563-6 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-563 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 0.01 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 300 pC, 280 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 11.6 |
| Typical Rise Time (ns) | 7.9 |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 450 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.28 nC @ 4.5 V, 0.3 nC @ 4.5 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.9 ns, 5.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15.7 ns, 10.6 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA, 360 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.28@4.5V |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS, 50 mS |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.7 Ω, 6 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5.5 |
| Maximum Continuous Drain Current | 280 mA, 620 mA |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 10.6 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.4 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 Ohms, 4 Ohms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.5@N Channel|0.36@P Channel |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 25@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1700@10V@N Channel|4000@10V@P Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 50 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |