Моя заявка (0)
DMG1026UV-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059073
Артикул
DMG1026UV-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMG1026
Fall Time:
16.3 ns
Rise Time:
3.4 ns
Цена по запросу
(от 53,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMG1026
Fall Time:16.3 ns
Rise Time:3.4 ns
Вес, г0.15
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-563-6
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:450 fC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:580 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:26.4 ns
Id - Continuous Drain Current:440 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.8 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В41
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.58
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В