DMG1024UV-7, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 890мА, 530мВт, SOT563
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041081996
- Артикул
- DMG1024UV-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 1.25mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 1.25mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMG1024 |
| EU RoHS | Compliant |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Series: | DMG1024 |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Fall Time | 12.3 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 6 |
| Rise Time | 7.4 ns |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 12.3 ns |
| Lead Shape | Flat |
| Rise Time: | 7.4 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-563 |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-563-6 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-563-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 736.6 pC |
| Supplier Package | SOT-563 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 736.6 pC |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Pd - Power Dissipation | 530 mW |
| Typical Fall Time (ns) | 12.3 |
| Typical Rise Time (ns) | 7.4 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 530 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 530 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.737 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4.5 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.1 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -6 V, +6 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.1 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 1.38 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.38 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 530 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.7366@4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±6 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5.1 |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.38 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 450 mOhms |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 26.7 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.38 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 60.67@16V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 450@4.5V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 500 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.89 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.53 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |