DMG1023UV-7, MOSFETs MOSFET P-CHANNEL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059072
- Артикул
- DMG1023UV-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вид
- MOSFET
- Тип
- полевой
- Series:
- DMG1023
Цена по запросу
(от 57,38 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -20В, -0,68А, 530мВт, SOT563 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Series: | DMG1023 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 20.7 ns |
| Rise Time: | 8.1 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-563-6 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 622.4 pC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 530 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.03 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.9 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 500 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.53 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |