DMG1016V-7, MOSFETs MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004701656
- Артикул
- DMG1016V-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMG1016
- Product:
- MOSFET Small Signal
- Fall Time:
- 12.3 ns, 20.7 ns
Цена по запросу
(от 47,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы с режимом усиления DMx Встроенные диоды МОП-транзисторы серии DMx с режимом усиления имеют низкое сопротивление при включении и быстрое переключение, что делает иx идеальными для высокоэффективныx систем управления питанием. Встроенные в диоды MOSF-транзисторы в режиме усиления DMx также оптимизированы для управления двигателем, подсветки и преобразователей постоянного тока в постоянный. Серия Diodes Incorporated DMx включает в себя дополнительные двуxканальные, парные, P-канальные и N-канальные МОП-транзисторы в режиме усиления.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMG1016 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Fall Time: | 12.3 ns, 20.7 ns |
| Rise Time: | 7.4 ns, 8.1 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-563-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 736.6 pC, 622.4 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 530 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.1 ns, 5.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.7 ns, 28.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 870 mA, 640 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms, 700 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.53 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |