DMG1016UDW-7,Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8692227418
- Артикул
- DMG1016UDW-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 1.35mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMG1016
- Product:
- MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Width | 1.35mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMG1016 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 12.3 ns, 20.72 ns |
| Rise Time: | 7.4 ns, 8.1 ns |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOT-363 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 736.6 nC, 622.4 pC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 330 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 330 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.62 nC @ 4.5 V, 0.74 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -6 V, +6 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.1 ns, 5.1 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26.7 ns, 28.4 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.066 A, 845 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω, 750 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A, 840 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms, 750 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.845 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом |