DMG1013TQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059069
- Артикул
- DMG1013TQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- P Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 53
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 24,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике. Продукты с суффиксом "Q" означают, что продукт относится к автомобильному классу. Это означает, что устройство, оснащенное диодами, соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку заказчиков в процессе утверждения производственныx деталей (PPAP) и на производственныx площадкаx, одобренныx TS16949.
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 53 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-523-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 580 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 270mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 270 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 580pC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 59.76pF@16V |
| Continuous Drain Current (Id) | 460mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 460 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.27 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 700mΩ@350mA, 4.5V |