DMG1013T-7, Транзистор: P-MOSFET; полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070118271
- Артикул
- DMG1013T-7
- Бренд
- DIODES INC.
- V(DS)
- 20 V
- Width
- 0.85mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- P(tot)
- 0.27 W
Цена по запросу
(от 23,16 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| V(DS) | 20 V |
| Width | 0.85mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| P(tot) | 0.27 W |
| Package | SOT-523 |
| Series: | DMG1013 |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | NO |
| Fall Time: | 20.7 ns |
| Rise Time: | 8.1 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-523(SC-89) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | P-CH |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 500 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 0.46 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-523-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 622.4 pC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 270 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 270 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.58 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -6 V, +6 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.1 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28.4 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 460 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.9 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 460 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |