Моя заявка (0)

DMG1012UW, Power MOSFET, Enhancement Mode, N Channel, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Surface Mount

DMG1012UW, Power MOSFET, Enhancement Mode, N Channel, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8484832381
Артикул
DMG1012UW
Бренд
DIODES INC.
Type
N Channel
RDS-on
450@4.5V mOhm
Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.45
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы SOT-323 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
RDS-on450@4.5V mOhm
MountingSurface Mount
Вес, г0.45
Lead FinishMatte Tin
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Корпусsot-323
Power Dissipation290мВт
Typical Fall Time12.3 ns
Typical Rise Time7.4 ns
СтруктураN-Channel
Max Processing Temp260
Operating Temperature-55 to 150 °C
ОсобенностиEnhancement Mode
Typical Turn-On Delay Time5.1 ns
Maximum Gate Source Voltage±6 V
Typical Turn-Off Delay Time26.7 ns
Maximum Drain Source Voltage20 V
Drain Source On State Resistance0.3Ом
Maximum Continuous Drain Current1 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока1А
Пороговое Напряжение Vgs500мВ
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.3 Ом

Техническая документация