Diodes Inc N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 DMG1012T-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014599784
- Артикул
- DMG1012T-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 0.85mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой DMG1012T-7 от DIODES INCORPORATED - это высококачественный N-MOSFET, предназначенный для SMD монтажа. Он обладает током стока 0,45 А и напряжением сток-исток 20 В, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах. Мощность транзистора составляет 0,28 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,3 Ом гарантирует эффективную работу. Компактный корпус SOT523 обеспечивает легкую интеграцию в печатные платы. Транзистор DMG1012T7 является надежным решением для разработчиков и производителей электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.45 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 0.28 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.3 Корпус SOT523
Технические параметры
| Width | 0.85mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-523(SC-89) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 280 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.737 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -6 V, +6 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 700 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 630 mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |