Моя заявка (0)

DMC67D8UFDBQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMC67D8UFDBQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025005416
Артикул
DMC67D8UFDBQ-7
Бренд
DIODES INC.
MSL
MSL 1-Unlimited
Type
1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
Вес, г
1
No. of Pins
6Pins
Цена по запросу
(от 190 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

580 МВт 1PCSN-канальные и 1PCSP-канальные МОП-транзисторы UDFN2020-6 ROHS

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Type1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
Вес, г1
No. of Pins6Pins
Channel TypeComplementary N and P Channel
QualificationAEC-Q101
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Transistor Case StyleU-DFN2020
Power Dissipation (Pd)580mW
Особенности-
Operating Temperature Max150°C
Total Gate Charge (Qg@Vgs)0.4pC@4.5V;7.3nC@4.5V
Power Dissipation N Channel890mW
Power Dissipation P Channel890mW
Input Capacitance (Ciss@Vds)41pF@25V;443pF@16V
Continuous Drain Current (Id)390mA;2.9A
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel390mA
Continuous Drain Current Id P Channel390mA
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.072ohm
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA; 1.25V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60V;20V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.89
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4Ω@500mA, 10V;72mΩ@3.5A, 4.5V

Техническая документация