60V / -60V 6.5A / -3.9A / DMC6040SSD-13
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8058470751
- Артикул
- DMC6040SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вид
- N+P-MOSFET
- Тип
- полевой
- Series:
- DMC6040
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вид | N+P-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Series: | DMC6040 |
| Fall Time: | 4.3 nS, 26.1 nS |
| Rise Time: | 1.8 ns, 6.3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Монтаж | SMD |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20.8 nC, 9.5 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Ток стока, А | 3.9 |
| Мощность, Вт | 1.56 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.56 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Power Dissipation N Channel | 1.24Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.24Вт |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.6 nS, 3.7 nS |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20.1 nS, 58.7 nS |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.1 A, 3.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| кол-во в упаковке | 2500 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms, 130 mOhms |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 5.1А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.24Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.033Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.033Ом |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 5.1А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 5.1А |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 60В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 60В |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.04 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.033Ом |