DMC4029SSD-13, MOSFETs Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059054
- Артикул
- DMC4029SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC4029
- Fall Time:
- 4.8 ns, 25.5 ns
- Rise Time:
- 7.1 ns, 19.6 ns
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N/P-МОП, полевой, -40/40В, -9/6,5А, 1,3Вт, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 9 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 1.3 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.024 Корпус SO8
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC4029 |
| Fall Time: | 4.8 ns, 25.5 ns |
| Rise Time: | 7.1 ns, 19.6 ns |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.8 nC, 21.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.3 ns, 8.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15.1 ns, 34.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.1 A, 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms, 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -16 V, +16 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |