DMC4029SK4-13, 40V 8.3A 1.5W 24mOhm@10V,6A 3V@250uA 1PCSN-Channel& 1PCSP-Channel TO-252-4 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017613153
- Артикул
- DMC4029SK4-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel+1PCSPChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 4.8 ns, 25.5 ns
- Rise Time:
- 7.1 ns, 19.6 ns
Цена по запросу
(от 57,16 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel+1PCSPChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 4.8 ns, 25.5 ns |
| Rise Time: | 7.1 ns, 19.6 ns |
| Вес, г | 0.48 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19.1 nC, 21.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.9 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 19.1nC@20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.3 ns, 8.7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.06nF@20V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15.1 ns, 34.9 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 8.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.3 A, 6.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms, 33 mOhms |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 8.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.5Вт |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.015Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 24mΩ@10V, 6A |