DMC4028SSD-13, MOSFETs 40V Comp Dual ENH Low On-Resistance
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004841617
- Артикул
- DMC4028SSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC4028
- Fall Time:
- 10.7 ns, 14.3 ns
- Rise Time:
- 12.4 ns, 14.1 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой DMC4028SSD-13 от DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный компонент в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). С током стока 0,5 А, напряжением сток-исток 40 В и мощностью 1,8 Вт, этот N+P-MOSFET обладает сопротивлением в открытом состоянии всего 0,028 Ом, что обеспечивает его высокую эффективность и надежность в широком спектре областей применения. Код товара DMC4028SSD13 повторно подчеркивает его уникальность и легкость идентификации среди аналогов, что делает его идеальным выбором для разработчиков и инженеров, стремящихся к максимизации производительности своих проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 0.5 Напряжение сток-исток, В 40 Мощность, Вт 1.8 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.028 Корпус SO8
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC4028 |
| Fall Time: | 10.7 ns, 14.3 ns |
| Rise Time: | 12.4 ns, 14.1 ns |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 1.65 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.9 nC, 14 nC |
| Структура | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.2 ns, 2.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.8 ns, 25.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.2 A, 5.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 22.8 S, 16.6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms, 39 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18 mOhms, 39 mOhms |