Моя заявка (0)
DMC3730UVT-7, MOSFETs 25V Complimentary Pair Enhancemnt Mode

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059051
Артикул
DMC3730UVT-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
13 ns, 35 ns
Rise Time:
8 ns, 9 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 49,61 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:13 ns, 35 ns
Rise Time:8 ns, 9 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSOT-26-6
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.64 nC, 1.1 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:900 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:3 ns, 7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:17 ns, 55 ns
Id - Continuous Drain Current:680 mA, 460 mA
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:450 mOhms, 1.1 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:450 mV, 1.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)21.3 mOhms

Техническая документация