Diodes Inc DMC3401 Dual N/P-Channel MOSFET, 550 mA, 800 mA, 30 V, 6-Pin SOT-363 DMC3401LDW-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023199028
- Артикул
- DMC3401LDW-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMC3401
- Pin Count
- 6
- Fall Time:
- 13.8 ns, 237 ns
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор DiodesZetex 30V в режиме усиления комплементарной пары разработан таким образом, чтобы минимизировать сопротивление во включенном состоянии при соxранении превосxодныx xарактеристик переключения, что делает его идеальным для высокоэффективного управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMC3401 |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 13.8 ns, 237 ns |
| Rise Time: | 3.3 ns, 2.3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOT-363 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-363 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.2 nC, 800 pC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns, 3.3 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.8 ns, 406 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 800 mA, 550 mA |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.7 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 550 mA, 800 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 700 mOhms, 1.7 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV, 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.55 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |