Моя заявка (0)
DMC3401LDW-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018650916
Артикул
DMC3401LDW-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
13.8 ns, 237 ns
Rise Time:
3.3 ns, 2.3 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 200 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:13.8 ns, 237 ns
Rise Time:3.3 ns, 2.3 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-363-6
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel, 1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:1.2 nC, 800 pC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel, P-Channel
Factory Pack Quantity:10000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:400 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.5 ns, 3.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16.8 ns, 406 ns
Id - Continuous Drain Current:800 mA, 550 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:700 mOhms, 1.7 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV, 1 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация