DMC3400SDW-13, Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001732458
- Артикул
- DMC3400SDW-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC3400
- Fall Time:
- 18.8 ns, 19 ns
- Rise Time:
- 3.5 ns, 8.8 ns
Цена по запросу
(от 50 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC3400 |
| Fall Time: | 18.8 ns, 19 ns |
| Rise Time: | 3.5 ns, 8.8 ns |
| Вес, г | 0.15 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.4 nC, 1.3 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 390 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Power Dissipation N Channel | 310мВт |
| Power Dissipation P Channel | 310мВт |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.8 ns, 5.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25.2 ns, 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 650 mA, 450 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms, 900 mOhms |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV, 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 650мА |
| Рассеиваемая Мощность | 310мВт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.2Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.2Ом |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 650мА |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 650мА |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.2Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.65 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.2 Ом |