DMC31D5UDJ-7, MOSFETs 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059047
- Артикул
- DMC31D5UDJ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMC31
- Fall Time:
- 7.5 ns, 8.7 ns
- Rise Time:
- 2.2 ns, 5.2 ns
Цена по запросу
(от 69,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMC31 |
| Fall Time: | 7.5 ns, 8.7 ns |
| Rise Time: | 2.2 ns, 5.2 ns |
| Вес, г | 0.27 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-963-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 380 pC, 350 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.2 ns, 3.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns, 18.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 mA, 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 Ohms, 5.1 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |