Моя заявка (0)

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 4.6 A, 3.3 A, 30 V, 6-Pin TSOT-26 DMC3071LVT-7

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 4.6 A, 3.3 A, 30 V, 6-Pin TSOT-26 DMC3071LVT-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025716779
Артикул
DMC3071LVT-7
Бренд
DIODES INC.
Width
1.7mm
Pin Count
6
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 30,99 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот МОП-транзистор нового поколения разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии (RDS(on)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

Width1.7mm
Pin Count6
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN, P
Package TypeTSOT-26
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураP-Channel
Power Dissipation (Pd)700mW
Особенностикомплементарная пара транзисторов
Maximum Power Dissipation1.1 W
Typical Gate Charge @ Vgs4.5 nC @ 10 V(NChannel), 6.5 nC @ 10 V(PChannel)
Total Gate Charge (Qg@Vgs)4.5nC@10V;6.5nC@10V
Drain Source Voltage (Vdss)30V
Maximum Gate Source Voltage±20 V, ±20 V
Number of Elements per Chip2
Input Capacitance (Ciss@Vds)190pF@15V;254pF@15V
Maximum Drain Source Voltage30 V
Continuous Drain Current (Id)4.6A;3.3A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.5(NChannel)V, 2.5(PChannel)V
Minimum Gate Threshold Voltage1(NChannel)V, 1(PChannel)V
Maximum Drain Source Resistance140(PChannel)mΩ, 90(NChannel)mΩ
Maximum Continuous Drain Current4.6 A, 3.3 A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@3.5A, 10V;95mΩ@3.8A, 10V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)50mΩ@3.5A, 10V;95mΩ@3.8A, 10V

Техническая документация