DMC3032LSD-13, Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8-Pin SO T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8068798219
- Артикул
- DMC3032LSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Q(g)
- 9.2 nC
- V(DS)
- 30 V
- P(tot)
- 2.5 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой DMC3032LSD-13 от DIODES INCORPORATED – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) с корпусом SO8. Он обеспечивает ток стока до 8,1 А и напряжение сток-исток до 30 В, выделяясь своей мощностью в 2,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,032 Ом, что гарантирует высокую эффективность при минимальных потерях мощности. Этот N+P-MOSFET идеально подходит для широкого спектра применений, где требуется надежное управление мощностью. Используя DMC3032LSD13 в своих проектах, вы можете быть уверены в стабильности и долговечности вашей электроники. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 8.1 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 2.5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.032 Корпус SO8
Технические параметры
| PPAP | No |
| Q(g) | 9.2 nC |
| V(DS) | 30 V |
| P(tot) | 2.5 W |
| EU RoHS | Compliant |
| Package | SO-8 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Technology | FastSwitch |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | YES |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N|P |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| RDS(on)at 10V | 32 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 8 A |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SO |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 2.84@Q 1|22.2@Q 2 |
| Typical Rise Time (ns) | 6.18@Q 1|6.5@Q 2 |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 9.2@Q 1|21.1@Q 2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10.1@4.5V@Q 2|9.2@10V@Q 1|21.1@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.4@Q 1|10.1@Q 2 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13.92@Q 1|50.1@Q 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 8.1@N Channel|7@P Channel |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 404.5@15V@Q 1|1002@15V@Q 2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 32@10V@N Channel|39@10V@P Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |