DMC3028LSD-13, Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8-Pin SO T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001291219
- Артикул
- DMC3028LSD-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
- Series:
- DMC3028
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой DMC3028LSD-13 от DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный N+P-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. С током стока 7,1 А и напряжением сток-исток 30 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 2,1 Вт. Выдающееся сопротивление в открытом состоянии всего 0,028 Ом обеспечивает высокую эффективность при минимальных потерях мощности, делая его идеальным выбором для различных областей применения, где требуется надежное управление мощностью. Корпус SO8 обеспечивает удобство интеграции в самые разнообразные схемы. Используйте DMC3028LSD13 для повышения производительности и надежности ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N+P-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 7.1 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 2.1 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.028 Корпус SO8
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMC3028 |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 9.7 ns, 28 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 3.1 nS, 4.9 nS |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P|N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SO |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 0.5 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.2 nC, 16.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Standard Package Name | SOP |
| Typical Fall Time (ns) | 28 P Channel|9.7 N Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 4.9 P Channel|3.1 N Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.5 ns, 3.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 nS, 44 nS |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.1 A, 7.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2100 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 31.6 P Channel|10.5 N Channel |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S, 18.6 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.5 P Channel|2.5 N Channel |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 44 P Channel|14 N Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms, 41 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.8 P Channel|6.6 N Channel |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1678 15V P Channel|472 15V N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 25 10V P Channel|28 10V N Channel |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |